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在之前的报道中，生最也通过球差电镜和分子动力学模拟发现于PMN-PT压电材料中。综上所述，乐购作者利用原位同步辐射、乐购球差校正透射电镜、相场模拟，表明四方相结构耦合大量的小角度局域结构是造成多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷性能提高的原因。

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同时，王先类似的微观和宏观结构与掺杂剂的关系不仅仅发现于K0.5Na0.5NbO3压电陶瓷。研究工作得到了国家自然科学基金委、生最中央高校基本科研专项资金、以及CSC国家留学基金委等项目的支持。

乐购（d）KNN-Bi,Sb,Zr压电常数与两相含量在300K到500K之间的变化

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